2SK3050TL

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Spécifications

Modèle de produit

2SK3050TL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SK3050TL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

CPT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

20W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

2SK3050TLTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25.6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 2A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "2SK3050TL".

2SK3078A(TE12L,F)

La description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

En stock

2SK3050TL

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