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42772082SD1767T100R imageRohm Semiconductor

2SD1767T100R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    2SD1767T100R
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 500mA
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    MPT3
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    2W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-243AA
  • Autres noms
    2SD1767T100R-ND
    2SD1767T100RTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    120MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 700mA 120MHz 2W Surface Mount MPT3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 100mA, 3V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    700mA
  • Numéro de pièce de base
    2SD1767
S-5742RBH1B-Y3N2U

S-5742RBH1B-Y3N2U

La description: BIPOLAR HALL EFFECT LATCH

Fabricant: SII Semiconductor Corporation
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