2SCR523EBTL

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Spécifications

Modèle de produit

2SCR523EBTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.2SCR523EBTL.pdf
2.2SCR523EBTL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

EMT3F (SOT-416FL)
Séries

-
Puissance - Max

150mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SC-89, SOT-490
Autres noms

2SCR523EBTLCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

350MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2SCR523EBTL".

2SCR522UBTL

La description: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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