2SCR502UBTL

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Spécifications

Modèle de produit

2SCR502UBTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.2SCR502UBTL.pdf
2.2SCR502UBTL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

UMT3F
Séries

-
Puissance - Max

200mW
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

SC-85
Autres noms

2SCR502UBTLDKR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

360MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 360MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

200nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

500mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2SCR502UBTL".

2SCR512P5T100

La description: NPN 30V 2A MEDIUM POWER TRANSIST

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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