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IRLU014N

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IRLU014N
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    I-PAK
  • Séries
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    28W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Autres noms
    *IRLU014N
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    265pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 10A (Tc) 28W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10A (Tc)
1210J2500332GCT

1210J2500332GCT

La description: CAP CER 3300PF 250V C0G/NP0 1210

Fabricant: Knowles Syfer
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