IRLL024NPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLL024NPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLL024NPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

SP001550452
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.1A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRLL024NPBF".

IRLIZ44G

La description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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