International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLI530NPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLI530NPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLI530NPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB Full-Pak
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

41W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

*IRLI530NPBF
SP001573830
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRLI530NPBF".

IRLI530GPBF

La description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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