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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL2203NSTRRPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRL2203NSTRRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRL2203NSTRRPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.8W (Ta), 180W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP001576488
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

116A (Tc)

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IRL2203NSTRR

La description: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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