International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807Z

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Spécifications

Modèle de produit

IRF7807Z
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF7807Z.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.8 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

*IRF7807Z
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF7807Z".

IRF7807VD1PBF

La description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7807Z

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