International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6607

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6607
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF6607.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ MT
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.6W (Ta), 42W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric MT
Autres noms

IRF6607-ND
IRF6607TR
SP001532212
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6930pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 7V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

27A (Ta), 94A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF6607".

IRF6609

La description: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6607

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