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IRF540ZLPBF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IRF540ZLPBF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-262
  • Séries
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26.5 mOhm @ 22A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    92W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Autres noms
    *IRF540ZLPBF
    SP001559652
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1770pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 36A (Tc) 92W (Tc) Through Hole TO-262
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    36A (Tc)
AT0805DRD0715KL

AT0805DRD0715KL

La description: RES SMD 15K OHM 0.5% 1/8W 0805

Fabricant: Yageo
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