International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP135 E6906

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Spécifications

Modèle de produit

BSP135 E6906
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

BSP135 E6906.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 94µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-SOT223-4
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

BSP135 E6906-ND
BSP135E6906
BSP135E6906T
SP000055417
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

146pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

0V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120mA (Ta)

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BSP135H6433XTMA1

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