IXTY08N100P

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Spécifications

Modèle de produit

IXTY08N100P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTY08N100P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

42W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

800mA (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXTY08N100P".

PIC32MX695F512L-80I/BG

La description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 121BGA

Fabricant: Micrel / Microchip Technology

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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