IXTP52P10P

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Spécifications

Modèle de produit

IXTP52P10P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTP52P10P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

PolarP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2845pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

52A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "IXTP52P10P".

DHS4E4F191KC2B

La description: CAP CER 190PF 30KV N4700 DISK

Fabricant: Murata Electronics

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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