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3475420IXTP4N60P imageIXYS Corporation

IXTP4N60P

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTP4N60P
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220AB
  • Séries
    PolarHV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    89W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    635pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4A (Tc)
Q2-3X-3/8-01-QB48IN-25

Q2-3X-3/8-01-QB48IN-25

La description: HEATSHRINK 3/8"-48" BLACK

Fabricant: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
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