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2624822IXTH76P10T imageIXYS Corporation

IXTH76P10T

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTH76P10T
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 (IXTH)
  • Séries
    TrenchP™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    298W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    13700pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    197nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    P-Channel 100V 76A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    76A (Tc)
0805J0160151JFT

0805J0160151JFT

La description: CAP CER 150PF 16V C0G/NP0 0805

Fabricant: Knowles Syfer
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