IXTH12N120

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Spécifications

Modèle de produit

IXTH12N120
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTH12N120.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 (IXTH)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

500W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 12A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTH12N120".

IXTH130N20T

La description: MOSFET N-CH 200V 130A TO-247

Fabricant: IXYS Corporation

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