IXFN80N50Q2

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Spécifications

Modèle de produit

IXFN80N50Q2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFN80N50Q2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-227B
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

890W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

12800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 72A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

72A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFN80N50Q2".

IXFN73N30

La description: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation

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