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1292909IXFN52N90P imageIXYS Corporation

IXFN52N90P

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXFN52N90P
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-227B
  • Séries
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 26A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    890W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    19000pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    900V
  • Description détaillée
    N-Channel 900V 43A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    43A (Tc)
SIT9003AC-83-33DD-50.00000T

SIT9003AC-83-33DD-50.00000T

La description: OSC MEMS 50.0000MHZ LVCMOS/LVTTL

Fabricant: SiTime
En stock

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