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2369900IXFN38N100Q2 imageIXYS Corporation

IXFN38N100Q2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXFN38N100Q2
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXFN38N100Q2.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-227B
  • Séries
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 19A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    890W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    7200pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1000V
  • Description détaillée
    N-Channel 1000V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    38A (Tc)

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MFR100FRF73-845K

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La description: RES MF 1W 1% AXIAL

Fabricant: Yageo
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