IXFN32N60

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Spécifications

Modèle de produit

IXFN32N60
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFN32N60.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-227B
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

520AW (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

325nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 32A (Tc) 520AW (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

32A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFN32N60".

SMCJ70CA

La description: TVS DIODE 70V 113V SMC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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