Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > IDT71V416VL12Y8
Demander une offre en ligne
Français
21674IDT71V416VL12Y8 imageIDT (Integrated Device Technology)

IDT71V416VL12Y8

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IDT71V416VL12Y8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    44-SOJ
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    71V416VL12Y8
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (256K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Numéro de pièce de base
    IDT71V416
  • Temps d'accès
    12ns
M24LR64-RDW6T/2

M24LR64-RDW6T/2

La description: NFC/RFID 64KBIT EEPROM 13.56MHZ

Fabricant: STMicroelectronics
En stock

Review (1)

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter