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3906635IDT70P3307S233RMI imageIDT (Integrated Device Technology)

IDT70P3307S233RMI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IDT70P3307S233RMI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
  • Package composant fournisseur
    576-FCBGA (25x25)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    576-BBGA, FCBGA
  • Autres noms
    70P3307S233RMI
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (1M x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25)
  • Fréquence d'horloge
    233MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT70P3307
  • Temps d'accès
    7.2ns
74VHCT240ATTR

74VHCT240ATTR

La description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP

Fabricant: STMicroelectronics
En stock

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