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533742871V65703S75BGG8 imageIDT (Integrated Device Technology)

71V65703S75BGG8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    71V65703S75BGG8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.135 V ~ 3.465 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Package composant fournisseur
    119-PBGA (14x22)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    119-BGA
  • Autres noms
    IDT71V65703S75BGG8
    IDT71V65703S75BGG8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    9Mb (256K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 7.5ns 119-PBGA (14x22)
  • Numéro de pièce de base
    IDT71V65703
  • Temps d'accès
    7.5ns
534FB000423DGR

534FB000423DGR

La description: QUAD FREQUENCY XO, OE PIN 2

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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