Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > 71V3556SA100BGG8
Demander une offre en ligne
Français
181213571V3556SA100BGG8 imageIDT (Integrated Device Technology)

71V3556SA100BGG8

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1000+
$6.379
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    71V3556SA100BGG8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.135 V ~ 3.465 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Package composant fournisseur
    119-PBGA (14x22)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    119-BGA
  • Autres noms
    IDT71V3556SA100BGG8
    IDT71V3556SA100BGG8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA (14x22)
  • Fréquence d'horloge
    100MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT71V3556
  • Temps d'accès
    5ns
MPLAD36KP130AE3

MPLAD36KP130AE3

La description: TVS DIODE 130V 209V PLAD

Fabricant: Microsemi
En stock

Review (1)

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter