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706306470V658S12BFGI8 imageIDT (Integrated Device Technology)

70V658S12BFGI8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70V658S12BFGI8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    208-FPBGA (15x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    208-LFBGA
  • Autres noms
    IDT70V658S12BFGI8
    IDT70V658S12BFGI8-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Mb (64K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 12ns 208-FPBGA (15x15)
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V658
  • Temps d'accès
    12ns
SF-0603HI300M-2

SF-0603HI300M-2

La description: 0603 SMD HIGH-INRUSH MULTILAYER

Fabricant: Bourns, Inc.
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