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481340270V657S10DRG imageIDT (Integrated Device Technology)

70V657S10DRG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70V657S10DRG
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    208-PQFP (28x28)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    208-BFQFP
  • Autres noms
    IDT70V657S10DRG
    IDT70V657S10DRG-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V657
  • Temps d'accès
    10ns
RLR20C8872FRBSL

RLR20C8872FRBSL

La description: RES 88.7K OHM 1% 1/2W AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay
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