Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > 70V3589S166DRG8
Demander une offre en ligne
Français
384312870V3589S166DRG8 imageIDT (Integrated Device Technology)

70V3589S166DRG8

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    70V3589S166DRG8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Package composant fournisseur
    208-PQFP (28x28)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    208-BFQFP
  • Autres noms
    IDT70V3589S166DRG8
    IDT70V3589S166DRG8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Mb (64K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 166MHz 3.6ns 208-PQFP (28x28)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V3589
  • Temps d'accès
    3.6ns
1N6064A

1N6064A

La description: TVS DIODE 94V 152V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock

Review (1)

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter