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475223970V3399S133BC8 imageIDT (Integrated Device Technology)

70V3399S133BC8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70V3399S133BC8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Package composant fournisseur
    256-CABGA (17x17)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    256-LBGA
  • Autres noms
    IDT70V3399S133BC8
    IDT70V3399S133BC8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Mb (128K x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (128K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • Fréquence d'horloge
    133MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V3399
  • Temps d'accès
    4.2ns
KNP3WSJB-52-1R8

KNP3WSJB-52-1R8

La description: RES WW 3W 5% AXIAL

Fabricant: Yageo
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