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82700370V08S35PF8 imageIDT (Integrated Device Technology)

70V08S35PF8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70V08S35PF8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    35ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    100-TQFP (14x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    100-LQFP
  • Autres noms
    IDT70V08S35PF8
    IDT70V08S35PF8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Kb (64K x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 512Kb (64K x 8) Parallel 35ns 100-TQFP (14x14)
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V08
  • Temps d'accès
    35ns
CL10F683ZB8NNNC

CL10F683ZB8NNNC

La description: CAP CER 0.068UF 50V Y5V 0603

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock

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