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70T633S10BFG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70T633S10BFG
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    2.4 V ~ 2.6 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    208-CABGA (15x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    208-LFBGA
  • Autres noms
    IDT70T633S10BFG
    IDT70T633S10BFG-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    9Mb (512K x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
  • Numéro de pièce de base
    IDT70T633
  • Temps d'accès
    10ns
M40-3101045R

M40-3101045R

La description: CONN HDR FMAL 20PS 1MM DL AU SMD

Fabricant: Harwin
En stock

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