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65763207008L20PFGI8 imageIDT (Integrated Device Technology)

7008L20PFGI8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    7008L20PFGI8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    20ns
  • Tension - Alimentation
    4.5 V ~ 5.5 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    100-TQFP (14x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    100-LQFP
  • Autres noms
    IDT7008L20PFGI8
    IDT7008L20PFGI8-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Kb (64K x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 512Kb (64K x 8) Parallel 20ns 100-TQFP (14x14)
  • Numéro de pièce de base
    IDT7008
  • Temps d'accès
    20ns
CL05X684JQ5NNNC

CL05X684JQ5NNNC

La description: CAP CER 0.68UF 6.3V X6S 0402

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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