LSIC2SD120A08

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Spécifications

Modèle de produit

LSIC2SD120A08
Fabricant / marque

Hamlin / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

LSIC2SD120A08.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.8V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max)

1200V
Package composant fournisseur

TO-220-2
La vitesse

No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries

Gen2
Temps de recouvrement inverse (trr)

0ns
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-2
Autres noms

F10718
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

25 Weeks
Type de diode

Silicon Carbide Schottky
Description détaillée

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 24.5A (DC) Through Hole TO-220-2
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

24.5A (DC)
Capacité à Vr, F

454pF @ 1V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "LSIC2SD120A08".

LSIC1MO120E0120

La description: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Fabricant: Hamlin / Littelfuse

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