SI7137DP-T1-GE3

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Spécifications

Modèle de produit

SI7137DP-T1-GE3
Fabricant / marque

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SI7137DP-T1-GE3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerPAK® SO-8
Séries

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.95 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

PowerPAK® SO-8
Autres noms

SI7137DP-T1-GE3-ND
SI7137DP-T1-GE3TR
SI7137DPT1GE3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

585nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

60A (Tc)

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SI7120DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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