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6682016

B82412A3331J

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Spécifications
  • Modèle de produit
    B82412A3331J
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    FIXED IND 330NH 280MA 650 MOHM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Type
    Wirewound
  • Tolérance
    ±5%
  • Package composant fournisseur
    1210 (3225 Metric)
  • Taille / Dimension
    0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
  • Blindage
    Unshielded
  • Séries
    SIMID
  • évaluations
    AEC-Q200
  • Q @ Freq
    45 @ 250MHz
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    2-SMD
  • Autres noms
    B82412A3331J000
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 125°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Matériau - Noyau
    Ceramic
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence d'inductance - Test
    1MHz
  • Inductance
    330nH
  • Hauteur - Installé (max)
    0.075" (1.90mm)
  • Fréquence - Auto résonance
    800MHz
  • Description détaillée
    330nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 650 mOhm Max 2-SMD
  • Résistance cc (DCR)
    650 mOhm Max
  • Note actuelle
    280mA
  • Courant - Saturation
    -
IS42S32400E-6BL-TR

IS42S32400E-6BL-TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
En stock

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