ZXTP2008GTA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXTP2008GTA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXTP2008GTA.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

210mV @ 500mA, 5.5A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Puissance - Max

3W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

ZXTP2008GTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

110MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5.5A 110MHz 3W Surface Mount SOT-223
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

20nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

5.5A
Numéro de pièce de base

ZXTP2008

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXTP2008GTA".

ZXTP2012ZQTA

La description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89

Fabricant: Diodes Incorporated

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