ZXMN2A04DN8TC

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN2A04DN8TC
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN2A04DN8TC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Puissance - Max

1.8W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22.1nC @ 5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.9A

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