ZXMHC3A01N8TC

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMHC3A01N8TC
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMHC3A01N8TC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.5A, 10V
Puissance - Max

870mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMHC3A01N8DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V
type de FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.17A, 1.64A
Numéro de pièce de base

ZXMHC3A01

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livraison
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1808Y0630183JCT

La description: CAP CER 0.018UF 63V C0G/NP0 1808

Fabricant: Knowles Syfer

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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