ZXMC6A09DN8TA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMC6A09DN8TA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMC6A09DN8TA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 8.2A, 10V
Puissance - Max

1.8W
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMC6A09DN8TADKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1407pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.9A, 3.7A

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMC6A09DN8TA".

ZXMD63P02XTC

La description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP

Fabricant: Diodes Incorporated

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