ZXM66N02N8TA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXM66N02N8TA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

ZXM66N02N8TA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXM66N02N8DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "ZXM66N02N8TA".

CRCW1218210RFKTK

La description: RES SMD 210 OHM 1% 1W 1218

Fabricant: Dale / Vishay

En stock

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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