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ZTX855

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZTX855
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    150V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    260mV @ 400mA, 4A
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    1.2W
  • Package / Boîte
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Autres noms
    ZTX855DI
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    90MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 4A 90MHz 1.2W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1A, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    50nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    4A
FCR2WSJT-52-15K

FCR2WSJT-52-15K

La description: RES 2W 5% AXIAL

Fabricant: Yageo
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