DNLS350E-13

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Spécifications

Modèle de produit

DNLS350E-13
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DNLS350E-13.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

290mV @ 200mA, 2A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Puissance - Max

1W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

DNLS350E-13-ND
DNLS350E13
DNLS350EDITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

100MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 100MHz 1W Surface Mount SOT-223
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A
Numéro de pièce de base

DNLS350

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Ce qui suit est des produits liés à "DNLS350E-13".

FJV1845UMTF

La description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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