DMTH6010LPS-13

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Spécifications

Modèle de produit

DMTH6010LPS-13
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 60V 13.5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMTH6010LPS-13.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerDI5060-8
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.6W (Ta), 136W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

DMTH6010LPS-13DICT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2090pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

41.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 13.5A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13.5A (Ta), 100A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMTH6010LPS-13".

DMTH6010LPSQ-13

La description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Fabricant: Diodes Incorporated

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