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DMT6004SCT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT6004SCT
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT6004SCT.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220-3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.65 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.3W (Ta), 113W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    DMT6004SCTDI-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    100A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMT6004SCT".
SQ3418AEEV-T1_GE3

SQ3418AEEV-T1_GE3

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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