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5300316DMS3015SSS-13 imageDiodes Incorporated

DMS3015SSS-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMS3015SSS-13
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.9 mOhm @ 11A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.55W (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    DMS3015SSS-13DICT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1276pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    30.6nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    Schottky Diode (Body)
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    11A (Ta)
RHC2512FT2R61

RHC2512FT2R61

La description: RES 2.61 OHM 1% 2W 2512

Fabricant: Stackpole Electronics, Inc.
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