DMNH10H028SCT

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Spécifications

Modèle de produit

DMNH10H028SCT
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMNH10H028SCT.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

DMNH10H028SCTDI-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1942pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

31.9nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

60A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMNH10H028SCT".

DMNG1-63FL-3K

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Fabricant: Panduit

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