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1226395DMN3051LDM-7 imageDiodes Incorporated

DMN3051LDM-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN3051LDM-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN3051LDM-7.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-26
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    900mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-23-6
  • Autres noms
    DMN3051LDM-7DI
    DMN3051LDM-7DI-ND
    DMN3051LDM-7DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    424pF @ 5V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMN3051LDM-7".
A3P1000L-1PQ208I

A3P1000L-1PQ208I

La description: IC FPGA 154 I/O 208QFP

Fabricant: Microsemi
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