DMN3026LVTQ-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN3026LVTQ-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN3026LVTQ-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TSOT-26
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms

DMN3026LVTQ-7-ND
DMN3026LVTQ-7DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

643pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 6.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.6A (Ta)

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DMN3025LFG-13

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