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828375DMN2450UFD-7 imageDiodes Incorporated

DMN2450UFD-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN2450UFD-7
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    X1-DFN1212-3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    400mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    3-UDFN
  • Autres noms
    DMN2450UFD-7DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    52pF @ 16V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    900mA (Ta)
1210Y0500153KER

1210Y0500153KER

La description: CAP CER .015UF 50V X7R 1210

Fabricant: Knowles Syfer
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