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2782677DDC122TH-7 imageDiodes Incorporated

DDC122TH-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DDC122TH-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DDC122TH-7.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SOT-563
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    -
  • Résistance - Base (R1)
    220 Ohms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-563, SOT-666
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    26 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-563
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    -
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    DDC122

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C1005CH1H390J050BA

C1005CH1H390J050BA

La description: CAP CER 39PF 50V CH 0402

Fabricant: TDK Corporation
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